Жёсткий диск Samsung 990 Pro Твердотельный накопитель M.2 22x80mm NVMe PCIe® Gen4 4 ТБ, Sequential Read: 7450 МБ/сек., Sequential Write: 6900 МБ/сек., TLC
419,99 €
346 € -18%
Под заказ | На складе партнёра:
5 шт
Срок доставки: 1-5 рабочих дней
Способы и стоимость доставки
Производитель:
SAMSUNG
Артикул 01.ee:2622098
Код производителя: MZ-V9P4T0GW
EAN:
- 8806095255811
Время предъявления претензий: 60 месяцев
Тип корпуса | M.2 22x80mm |
Тип упаковки | Retail |
Тип подключения | NVMe PCIe® Gen4 |
Тип памяти | NAND Flash |
Масса | 28 g |
Срок гарантии | Yes |
Срок гарантии | 60 month(s) |
Условия гарантии | Serial Number |
Вес брутто (кг) | 0.03 kg |
Вес брутто (кг) | 0.03 kg |
Упаковок в коробке | 1 |
Pieces in pack | 1 |
Максимальная температура окружающей среды | 70 °C |
Минимальная температура окружающей среды | 0 °C |
Объём | 4 TB |
Цвет | Black/Red |
Максимальная потребляемая мощность | 8.6 W |
Размер буфера | 4 GB |
Тип устройства | Plug-in Module |
Выдерживамая перегрузка в нерабочем состоянии | 1500G @ 0.5ms |
Номинальное напряжение питания | 3.3 V |
Mean Time Between Failures | 1500000 hr |
Minimum Power Consumption | 55 mW |
Maximum Sequential Read Rate | 7450 MB/s |
Maximum Sequential Write Rate | 6900 MB/s |
Maximum Random Read Rate | 1600000 IOPS |
Maximum Random Write Rate | 1550000 IOPS |
Flash Memory Cell Technology | Triple-Level Cell |
Solid State Drive Features | S.M.A.R.T.TRIM SupportAES 256-bit EncryptionAuto Garbage CollectionDEVSLP Mode |
Глубина (мм) | 80 mm |
Высота (мм) | 8.88 mm |
Ширина (мм) | 25 mm |
Ширина | 25 мм |
Высота | 8.88 мм |
Глубина | 80 мм |
Цвет | Чёрный/Красный |
форм-фактор | M.2 22x80mm |
Гарантия | Да |
Гарантийный срок | 60 мес. |
Критерий оценки гарантии | Серийный номер |
Вес товара с упаковкой (брутто) | 0.03 кг |
Штук в упаковке | 1 |
Вес коробки брутто | 0.03 кг |
Упаковок в коробке | 1 |
Номинальный вес | 28 г |
Максимальная температура окружающей среды при работе | 70 °C |
Минимальная температура окружающей среды при работе | 0 °C |
Тип упаковки | Розничная |
Технология памяти | NAND флеш |
Емкость накопителя | 4 ТБ |
Номинальное напряжение питания | 3.3 В |
Размещение устройства | Модуль Расширения |
Поддерживаемые каналы данных | NVMe PCIe® Gen4 |
Максимальная скорость последовательного чтения | 7450 МБ/сек. |
Максимальная скорость последовательной записи | 6900 МБ/сек. |
Функциональные особенности SSD | S.M.A.R.T.Поддержка TRIMAES 256-bit EncryptionAuto Garbage CollectionРежим DEVSLP |
Ударостойкость при хранении | 1500G @ 0.5ms |
Максимальная потребляемая мощность | 8.6 Вт |
Средняя наработка на отказ | 1500000 ч |
Total Bytes Written (TBW) | 2400 TB |
Флэш-технология ячейки памяти | TLC |
Максимальная скорость случайного чтения | 1600000 IOPS |
Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 2400 ТБ |
Минимальная потребляемая энергия | 55 мВт |
Емкость установленной кэш-памяти | 4 ГБ |
Максимальная скорость случайной записи | 1550000 IOPS |
SSD Cooling Method | Heatsink |
Способ охлаждения SSD | Радиатор |